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采用水热刻蚀技术制备多孔硅粉末.紫外激光244 nm激发时,多孔硅呈现出310 nm的强紫外发光.随着研磨时间的延长,多孔硅结构消失,紫外发光带也随之消失.氧气热处理后,多孔硅表面被氧化生成氧化硅薄层,同样造成紫外发光带的消失.我们认为310 nm紫外发光来源于硅纳米结构中电子和空穴的直接禁带结构辐射复合.