紫外发光相关论文
在不同激光重复频率下用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si (111)衬底上生长了ZnO薄膜, 以325 nm He-Cd激光器为激发源获得了薄膜的荧光光......
本文介绍了纳米ZnO具有体材料所不具备的表面效应和量子尺寸效应，从而产生了许多优异的光、电、磁等方面的性质，在光通讯、光存......
在很多研究中，退火是提高ZnO薄膜晶体质量和改善其发光性能的有效方法。研究了脉冲激光沉积法（PLD）方法制备的ZnO薄膜退火后的发光特......
日本科学技术振兴事业团在世界率先研制成功使用透明氧化物的紫外发光二极管。很久以前，透明氧化物导电体ITO（氧化铟锡）就已实用化，作......
不同方法制备的ZnO薄膜紫外光激射原理主要有两种：微谐振腔发光和随机发光测试。测量了脉冲激光沉积和热氧化法制备的ZnO薄膜在同等......
采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了纯ZnO薄膜和高浓度Cu掺杂的Co,Cu共掺ZnO(Zn0.90CoxCu0.1-xO,x=0.01,0.03,0.05)薄膜。扫描电镜......
光纤制造成本的差异性受技术工艺的影响越来越小,所以通过设备改造升级,使用新型的紫外固化方式,成为降低光纤生产成本的一个重要......
有机发光二极管（OLED）作为新一代冷光源,有着低成本、效率高、视角广、对比度大、响应快速、可柔性制造等诸多优点,在照明和显示技术......
利用射频磁控溅射结合水热生长两步法制备了均匀致密分布的ZnO纳米晶薄膜,并利用碳纳米管阵列场发射阴极测试了其场电子激励下的发......
半导体纳米材料由于其特殊的电学、力学以及光学性质，到目前为止已经被科学家们广泛的研究。本硕士论文首先简单介绍了半导体准一维......
由于一维纳米材料独特的物理化学性质以及在纳米器件中广泛的应用前景，纳米的制备以及其性能的研究引起了科研人员的广泛关注。氧化......
ZnO是一种宽禁带半导体材料，在紫外光电器件应用领域有很大潜力。我们利用具有特定温度梯度的CVD设备，以锌粉和氧气为原料，在Si(100)......
项目通过氧化锌晶体基片研制、II族氧化物半导体外延薄膜的表面界面工程、外延生长与极化效应研究、杂质调控、以及新型激光微腔设......
采用溶胶-凝胶旋涂法在Si衬底上制备了Mg0.3Zn0.7 O薄膜,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见荧光光谱仪和紫外-可见分光......
采用水热刻蚀技术制备多孔硅粉末.紫外激光244 nm激发时,多孔硅呈现出310 nm的强紫外发光.随着研磨时间的延长,多孔硅结构消失,紫......
用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的......
利用脉冲激光沉积法，在氧气氛下（氧分压为11Pa）以石英玻璃为基体沉积了铝掺杂氧化锌薄膜。靶材选用锌铝合金靶，沉积过程中基体温度保持......
采用热丝化学气相沉积（HFCVD）技术在Si（111）衬底上生长了SiC薄膜．通过电子能谱（EDX）、X射线衍射（XRD）和时间分辨光谱等分析手段对样品结构、......
MgxZn1-xO材料是一种新型的光电功能材料,近年来受到人们的广泛关注。文章采用Sol-Gel法制备了MgxZn1-xO粉体,研究Mg含量对MgxZn1-......
将连续离子层吸附与反应法(SILAR)和液相非均相沉淀技术相结合,提出ZnO薄膜的连续非均相沉淀液相制备技术。以[Zn(NH_3)_4]~(2+)络......
研究了掺杂稀土离子Ce^3＋的碱土氟化物发光体LiXAlF6：Ce^3＋（X=Ca^2＋，Sr^2＋或Ba^2＋），XBaAlF6：Ce^3＋（X=Li6＋，Na^＋或K^＋）及LiBaXF6：Ce^3＋（X=Al^3＋，Ga^3＋或In^3＋）......
近年来,长余辉发光材料被广泛地应用于发光涂料、光学信息存储以及生物成像等领域。目前,长余辉材料的发光波长集中在可见光和近红......
紫外有机发光相对于其它发光技术，具有面发光、全视角、低驱动电压、低功耗、低制备成本等诸多优势，其应用前景更加广阔。文章对紫外......
近年来,合成具有确定外型和结构的微纳尺寸薄膜或颗粒等上转换发光材料成为了研究热点。人们对可以将红外光转化为可见光甚至是紫......
利用简单气相传输法制备ZnO微米碟,通过在其表面溅射一层Au纳米粒子,构建Au与ZnO的复合结构,详细探讨ZnO微米碟的紫外发光增强性能......
采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si（100）衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅（SiC）薄膜．通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子......
研究半导体材料中的基本科学问题,为提升材料和器件性能提供理论指导和实验依据,推动实现基于半导体材料的能源相关器件的大规模应......
作为一种直接带隙宽禁带半导体材料ZnO是继GaN之后光电研究领域又一热门研究课题。其光电特性受缺陷的影响较小，在如今的信息时代有......
<正>1案件简介2008年11月4日,某列车上发生一起盗窃案件,某乘客的一台笔记本电脑被盗。技术人员在现场勘查时发现一个无人认领的电......
项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提......
高剂量轻气体离子注入Si基材料可以诱发一系列现象。如气泡、表面发泡和表面剥离等。研究这些现象对于气体离子与固体相互作用的基......
在室温下利用脉冲激光沉积法,以石英玻璃为基体成功制备了具有优良光改发光特性的铝掺杂氧化锌晶体薄膜(AZO),激光烧蚀所用的靶材......
MgxZn1-xO三元化合物是一种Ⅱ-Ⅵ族ZnO基半导体材料,室温下ZnO的禁带宽度约为3.3eV,MgO的禁带宽度约为7.8eV,MgxZn1-xO薄膜的禁带......
氮化硼纳米材料因其优异的性能和潜在的应用前景吸引了国内外科学家的广泛关注。氮化硼纳米材料的制备方法多种多样,但是如何制备......
通过燃烧法制备了Yb3+-Tm3+共掺的Y2O3纳米粉体,并对样品在980nm激光照射下的上转换发光特性进行了研究.实验发现,样品在可见光区......
用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325 nm He-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XR......
采用溶胶-凝胶法,在玻璃基底上制备了掺杂不同质量分数Al的ZnO薄膜,并采用X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见光谱仪（UV......
以ZnS和金属Zn粉末混合物为蒸发源以及金属Zn片为衬底，利用热蒸发气相沉积方法，在弯曲的金属Zn微球表面上，成功地获得了ZnO亚微米棒阵......
