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目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si（111）表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为，探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si（111）表面，并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜，利用扫描电镜和反射高能电子衍射原位动态分析了Ag在外电场下的电迁移和相变过程.结果在清洁的和Au吸附的Si（111）表面Ag均向负极方向迁移，但迁移速率和扩展能力有显著差异，Au覆盖度及相应的表面吸附结构类型是电迁移的控制因素；在（5×2＋α-√3×√