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采用高频放电的方法对ITO电极表面进行了处理，并用接触势差法测量了处理前后的ITO表面功函数．用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒．此外，处理后的ITO的双层发光器件的驱动电压下降，发光亮度及效率得到明显提高．
高频放电处理ITO电极对有机电致发光器件性能的影响
【摘 要】
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采用高频放电的方法对ITO电极表面进行了处理，并用接触势差法测量了处理前后的ITO表面功函数．用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒．此外，处
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院
【出 处】
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上海大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2004年6期
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