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势垒硅掺杂对InGaN量子阱中的电场及LED器件的光电性能有着重要的影响。采用6×6K·P方法计算了不同势垒硅掺杂浓度对量子阱中电场的变化，研究表明当势垒硅掺杂浓度＞1e18cm-3时，阱垒界面处的电场强度会变大，这主要是由于硅掺杂浓度过高导致量子阱中界面电荷的聚集。进一步发现随着势垒掺杂浓度的升高，总非辐射复合随之增加，其中俄歇复合增加，而肖克莱-霍尔-里德复合随之减少，这是由于点陷阱的增大形成了缺陷能级。电流电压曲线表明势垒掺杂可有效改善GaN基LED的工作电压，这归于掺杂浓度的提