【摘 要】
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利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射(MW-ECR PEUMS)系统,在室温下制备CNx薄膜。通过傅立叶变换红外光谱、X光电子能谱表征技术以及椭偏仪测试手段,研究了N含量对
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,
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利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射(MW-ECR PEUMS)系统,在室温下制备CNx薄膜。通过傅立叶变换红外光谱、X光电子能谱表征技术以及椭偏仪测试手段,研究了N含量对CNx薄膜结构和介电性能的影响。研究结果表明,随着CNx薄膜N/C比的增大,sp3C-N的形成受到抑制,sp2C-N的形成增多,薄膜折射率以及介电常数电子极化贡献部分降低。
CNx thin films were prepared at room temperature using dual discharge chamber microwave ECR plasma enhanced unbalanced magnetron sputtering (MW-ECR PEUMS) system. The effect of N content on the structure and dielectric properties of CNx thin films was investigated by Fourier transform infrared spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and ellipsometry. The results show that with the increase of N / C ratio of CNx film, the formation of sp3C-N is inhibited, the formation of sp2C-N increases, the refractive index of the film and the contribution of the electron polarization of the dielectric constant decrease.
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