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用稀释涂布平板法从已退化的氧化亚铁硫杆菌菌液中分离出氧化活性较高、生命力强的氧化亚铁硫杆菌T1,对其菌落、细胞形态和生长特性进行了初步研究,结果表明其最适生长条件为培养温度30 ℃,pH=2.0,分离出的T1菌株氧化活性是分离前菌株氧化活性的1.2倍.
氧化亚铁硫杆菌分离复壮的研究
【摘 要】
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用稀释涂布平板法从已退化的氧化亚铁硫杆菌菌液中分离出氧化活性较高、生命力强的氧化亚铁硫杆菌T1,对其菌落、细胞形态和生长特性进行了初步研究,结果表明其最适生长条件为
【机 构】
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河北工业大学
【出 处】
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河北工业大学学报
【发表日期】
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2002年1期
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