芯片制造技术新突破将会大幅提高处理器速度

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Intel在芯片技术开发上已经有超过30年的历史。现在,Intel又用实际行动捍卫了自己在研发上的领先地位。近日,Intel宣布自己在芯片研发技术上取得突破性进展,已经完成了对High—K(高电介质)金属门电路晶体管技术的研发。与目前使用广泛的CMOS晶体管相比,由于采用了新的材料High—K(高电介质),High—K(高电介质)金属门电路晶体管的容量提升60%,因此High—K(高电介质)金属门电路晶体管转换速度更快。另外, Intel has been developing chip technology for more than 30 years. Now, Intel defended its leading position in research and development with practical action. Recently, Intel announced that it has made breakthrough progress in chip R & D technology and has completed the development of high-K (high-dielectric) metal gate transistor technology. High-K (High Dielectric) Metal Gate Gate Transistors Increase Capacitance by 60% over New Widely Available CMOS Transistors With New Material High-K (High Dielectric) Gate circuit transistor conversion faster. In addition,
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