【摘 要】
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通过自模板法,选用硫代乙酰胺(TAA)、硫脲(TU)分别作硫源制备双壳层NiCo2S4纳米材料。其中以TAA为硫源制备的NiCo2S4表现出高的比电容(2064F/g,当电流密度为0.5A/g时),优异的
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目（21677029）
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通过自模板法,选用硫代乙酰胺(TAA)、硫脲(TU)分别作硫源制备双壳层NiCo2S4纳米材料。其中以TAA为硫源制备的NiCo2S4表现出高的比电容(2064F/g,当电流密度为0.5A/g时),优异的倍率性能(1291F/g,当电流密度为20A/g时)和较好循环稳定性。由动力学机制分析可知,NiCo2S4-TAA表面控制电容和扩散控制电容较NiCo2S4-TU均有提升。通过实验分析可知,TAA作为硫源合成的NiCo2S4是由较小的次级颗粒聚集而成,这有利于电化学过程中电解质离子的扩散。由于较好的导电性
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