【摘 要】
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本文研究了低光强下锂组分对纯铌酸锂晶体的可见光折变、紫外光致吸收及紫外光折变性能的影响,发现了光折变中心种类和数量随晶体组分的渐变行为。在组分较低的同成分晶体中,
【机 构】
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天津城市建设学院物理学院,河北工业大学材料科学与工程学院,天津市环欧半导体材料技术有限公司
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本文研究了低光强下锂组分对纯铌酸锂晶体的可见光折变、紫外光致吸收及紫外光折变性能的影响,发现了光折变中心种类和数量随晶体组分的渐变行为。在组分较低的同成分晶体中,大量本征缺陷形成Q极化子,因而在可见光波段表现出较弱的光生伏打效应;在组分较高的近化学计量比铌酸锂晶体中,双极化子是主要光折变中心,从而引起较高的光生伏打电场。而纯铌酸锂晶体的紫外光致吸收以及紫外光折变性能则具有相似的组分依赖关系。它们随组分的增加过程可分为两个不同的阶段：当组分小于49.70 mol%时,随组分增加缓慢升高,而当组分高于49.7
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