SiGe HBT双频段可变增益放大器设计

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提出了一款新型的双频段可变增益放大器(DBVGA),分别工作在3G-WCDMA的2.2GHz和WLAN的5.2GHz两个频段。放大器分为增益控制级、输入输出级和放大级。其中,增益控制级采用电流驱动技术和发射极串联电感来减小噪声和输入阻抗的影响,进而实现大动态的增益变化。输入级通过电容电感串并联方法实现双频段的输入匹配。放大级使用Cascode结构和电流复用技术来提高增益和减小功耗。采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.5mm2。仿真结果表明,当控制电压从0V到1.4V变化时,DBVGA在2.2GHz和5.2GHz下的增益可变范围分别达到30dB和16dB,最大增益处的噪声分别为2.3dB和3.2dB,输入和输出驻波比约1.5。 A new type of dual-band variable gain amplifier (DBVGA) is proposed, which operates in two frequency bands of 2.2GHz for 3G-WCDMA and 5.2GHz for WLAN respectively. Amplifier is divided into gain control level, input and output stage and amplifier stage. Among them, the gain control stage using current-driven technology and emitter series inductance to reduce the impact of noise and input impedance, and thus achieve large dynamic gain changes. Input stage through the capacitor inductance series parallel method to achieve dual-band input matching. Amplifier stage using Cascode structure and current multiplexing technology to improve gain and reduce power consumption. Using Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS process design chip layout, layout area of ​​0.5mm2. Simulation results show that when the control voltage changes from 0V to 1.4V, the gain of DBVGA can reach 30dB and 16dB at 2.2GHz and 5.2GHz respectively, and the noise at the maximum gain is 2.3dB and 3.2dB respectively. The input and output Standing wave ratio of about 1.5.
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