3C-SiC短程结构的分子动力学模拟

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【摘要】

：

采用Tersoff势对晶态3C-SiC结构进行了NEV系综的分子动力学模拟,在合适的步数和步长下选用蛙跳法计算该体系的温度、径向分布函数和键角分布,模拟结果表明常温下3C-SiC晶体保

【作者】

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王科江建军周肇勋赖西湖王晓川

【机构】

：

华中科技大学

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

分子动力学模拟蛙跳法 Tersoff势 molecular dynamics Leap-Frog Method Tersoff potential

【基金项目】

：

湖北省新世纪高层次人才工程项目

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采用Tersoff势对晶态3C-SiC结构进行了NEV系综的分子动力学模拟,在合适的步数和步长下选用蛙跳法计算该体系的温度、径向分布函数和键角分布,模拟结果表明常温下3C-SiC晶体保持着长程有序闪锌矿结构.蛙跳法适用于NEV线性系综的计算模拟,而不适用于NTV等非线性系综的恒温分子动力学模拟.最后分析模拟过程中的'四位数灾难'是由积分误差累积所致.

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