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对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验.实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强.对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析.分析结果表明,不同的衬底类型导致了PMOS管和NMOS管的辐照效应的差异.基于实验与分析结果,提出了一些深亚微米模拟IC的抗辐照设计方案.