粗SiC颗粒对再结晶碳化硅陶瓷抗热震性能的影响

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【摘要】

：

研究了粗碳化硅（SiC）颗粒的加入对再结晶碳化硅陶瓷（RSiC）抗热震性能的影响；通过不同温度下热震（水淬试验）后测试不同配方陶瓷的残余强度来评价其抗热震性能，并测试了R-SiC陶瓷在30-1

【作者】

：

雷海波肖汉宁郭文明谢文

【机构】

：

湖南大学材料科学与工程学院

【出处】

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机械工程材料

【发表日期】

：

2010年8期

【关键词】

：

再结晶碳化硅粗颗粒含量抗热震性能 recrystallized silicon carbide coarse particle content th

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研究了粗碳化硅（SiC）颗粒的加入对再结晶碳化硅陶瓷（RSiC）抗热震性能的影响；通过不同温度下热震（水淬试验）后测试不同配方陶瓷的残余强度来评价其抗热震性能，并测试了R-SiC陶瓷在30-1200℃的平均线膨胀系数，通过SEM分析了材料的显微结构及热震损伤机制。结果表明：随着粗SiC颗粒（250pm）含量的提高，R—SiC陶瓷的密度、临界热震温差均先升后降；含有50%250μmSiC颗粒陶瓷的密度最大，为2．60g·cm^-3，线膨胀系数最小，为4．60×10^-6／℃，抗热震性能最

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