高压BCD工艺优化对NLDMOS管的性能影响

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【摘要】

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基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板.调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片.该NLDMOS通过了电学性能合格测试.对源漏击穿电压BVds、比导通

【作者】

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代钢牛健姬濯宇

【机构】

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中国科学院大学微电子学院,北京,100029;中芯国际集成电路制造有限公司,天津,300385

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

2020年1期

【关键词】

：

高压BCD工艺 NLDMOS 结构参数击穿电压比导通电阻

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基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板.调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片.该NLDMOS通过了电学性能合格测试.对源漏击穿电压BVds、比导通电阻Ron进行了测试和分析.结果表明,BVds达到59.2 V,Ron为50.5 mQ·mm2.与原有的HVBCD工艺的电参数保持一致.该NLDMOS的栅极耐压值达到40 V,同时降低了成本,缩短了生产周期.

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