【摘 要】
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采用高能球磨Ｃｕ－Ｃｒ粉并在真空中缓慢热压的方法制备了纳米晶ＣｕＣｒ触头材料。实验结果表明，这种ＣｕＣｒ材料的晶粒尺寸为几十纳米，密度达到９０％，在真空间隙中的耐电压强度接近常规致密、低氧ＣｕＣｒ触头材料的
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采用高能球磨Ｃｕ－Ｃｒ粉并在真空中缓慢热压的方法制备了纳米晶ＣｕＣｒ触头材料。实验结果表明，这种ＣｕＣｒ材料的晶粒尺寸为几十纳米，密度达到９０％，在真空间隙中的耐电压强度接近常规致密、低氧ＣｕＣｒ触头材料的水平。
Nanocrystalline CuCr contact materials were prepared by high-energy ball milling of Cu-Cr powder and hot pressing in vacuum slowly. The experimental results show that the CuCr material has a grain size of several tens of nanometers and a density of 90%. The withstand voltage strength in the vacuum gap is close to that of the conventional dense and low-oxygen CuCr contact material.
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