【摘 要】
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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响。结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始
【机 构】
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成都信息工程学院光电技术学院,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响。结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势,当w（ZnO）=12%时,起始磁导率和饱和磁感应强度达到最大值。同时,ZnO含量增加,起始磁导率-温度（μi-T）曲线Ⅱ峰所对应的温度点向低温移动,居里温度则一直降低。在100kHz、200mT条件下,随着ZnO含量的增加,常温下铁氧体的损耗先减小后增大,且损耗最低点温
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