论文部分内容阅读
地下商业建筑出入口的空间设计分析
【出 处】
:
建筑工程技术与设计
【发表日期】
:
2015年12期
其他文献
描述了n-沟道动态电位DTMOS半导体器件的直流和高频特性,该器件制造采用了低功耗CMOS SOC工艺,同时也包含了高密度嵌入式DRAM技术.在本工作中的DTMOS器件在较早时候就发现性
顶板较硬的9#煤层工作面使用切顶支柱,改善了回柱放顶和大面积悬顶的管理难题,简化了回采工艺,节约了材料消耗,保证了采煤工作面的安全、高效生产。
The roof of the hard 9
本文论述了5A型沸石分子筛的分子晶体结构,特性和分离吸附机理,并对不同气候条 件下筛选甲烷、二氧化碳和水分子的试验进行了精度分析和可靠性论证.通过实验我们认为 ,选择5A型沸石分
描述了用以进行n-沟道动态电位DTMOS半导体器件源极/漏极载流子注入优化设计的实验结果,该器件制造采用了低成本0.15微米SOI和SOC(system-on-chip,系统集成芯片)技术,同时也
介绍了用法国OMMIC公司 0 2 μmGaAsPHEMT工艺设计的具有 90°可调移相的万兆以太网数据判决芯片的模块及单元电路的结构 ,给出了仿真结果及版图 ,最后给出分析和结论 .该芯