【摘 要】
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采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N2保护下硒化获得到Cu2Sn(S,Se)3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实
【机 构】
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西北师范大学物理与电子工程学院,中国科学院兰州化学物理研究所清洁能源实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11864035,11364036,11464041).
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采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N2保护下硒化获得到Cu2Sn(S,Se)3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构(上层大、下层小晶粒)的Cu2Sn(S,Se)3薄膜,其带隙为1.28eV,载流子浓度可低至6.780×1017cm^-3,迁移率高达18.19cm2·V^-1&#
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