硒化温度相关论文
溶液法制备高效率的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池一直被业内科研人员所认可.在本论文中,我们采用的是丁酸-正丁胺离子溶液法制备铜锌......
由于锌黄锡矿（Kesterite）结构的铜锌锡硫硒（Cu2ZnSn（S,Se）4,CZTSSe）半导体材料具有带隙可调（1.0-1.5 eV）、吸收系数高(104 cm-1),而且组成......
本论文通过扩展X-射线吸收精细结构(EXAFS)对电沉积法制备的铜铟硒薄膜的局域结构展开研究，取不同的Cu/In比和不同的硒化温度两组样......
用预制膜硒化法制备铜铟硒系太阳能电池的吸收层CIGSe薄膜,用X射线荧光分析（XRF）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射分析（XRD）和拉曼谱分......
采用共溅射法结合后硒化成功制备出CZTSSe薄膜,主要研究了不同的硒化温度对CZTSSe薄膜与电池性能的影响。分别采用X射线衍射仪、拉......
采取直接在Cu2ZnSnS4(CZTS)驱体溶液中溶解锑基化合物的方法于CZTS中引入Sb,探究了不同浓度Sb的引入对于CZTS薄膜太阳能电池的影响......
由于CuInSe2（简称CIS）薄膜太阳能电池材料的吸收系数高、带隙可控、结晶品质高、弱光性能好、抗辐射能力强、电池性能稳定、制造成本......
采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒（Cu（In,Al）Se2,CIAS）薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构......
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对CIS薄膜性能的影响.采用SEM......
本文使用固态硒源,采用两步升温硒化的方法来制备光吸收层CZTSe薄膜,主要研究了真空硒化装置及硒化温度等因素对CZTSe薄膜质量的影......
文章利用溶液法和硒化技术在镀Mo钠钙玻璃(Mo/SLG)衬底上制备出具有锌黄锡矿结构的Cu 2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜,研究了硒化温度(5......
采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N2保护下硒化获得到Cu2Sn(S,Se)3......
采用磁控溅射和后续硒化退火处理的方法在钛箔衬底上制备了柔性CZTSSe薄膜太阳能电池。利用X射线衍射、拉曼光谱仪和扫描电子显微......
采用射频磁控溅射加硒化的两步法在超白玻璃衬底上生长SnSe2薄膜,采用XRD、光学透过谱、Raman光谱、XPS和SEM等方法对薄膜进行性能......
