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作为第一代Bloomfield核心Core i7的继任者，Sandy Bridge-E处理器尚且犹抱琵琶半遮面，Intel永不停歇的Tick-Tock钟声便再度敲响。新一代内核架构Ivy Bridge在9月的IDF上已经公开露面，更多相关技术特性也得以解析。
根据目前得到的消息，Ivy Bridge将会被称为第3代酷睿处理器，这意味着其将继续使用一直延续的Core i系列的命名方式。相比于SNB-E处理器高高在上的旗舰定位，作为SNB接班人的Ivy Bridge显然更值得主流消费者们去关心和了解。
再度升级的制程工艺
目前已知Ivy Bridge在内核微架构上相比SNB并不会有革命性的变化，只在细节上进行一定的优化和增强。其最大的变革来源于制程工艺的再度升级─由32nm进化至22nm，并引入划时代的3D Tri-Gate立体晶体管堆叠技术。两种新工艺的结合，将使得Ivy Bridge在芯片效能上得到大幅提升，而在同等性能下，芯片功耗则仅为32nm平面晶体管工艺芯片的一半左右。
仅考虑32nm工艺到22nm工艺的成比例进步，那么同等晶体管规模下，芯片面积可缩小47.3%。但由于Ivy Bridge在晶体管数量上的提升，因此其芯片面积将不会缩小如此高的比例。据Intel官方表示，Ivy Bridge的晶体管数量将会增加至大约14亿个，相比SNB的11.6亿个提升约20%。
图形模块性能变化不大
SNB处理器首次将GPU模块引入了CPU芯片内部，同时规格和性能相比Intel以往的集成显示核心有了数倍的提升，并得到了大量消费者的认可。Ivy Bridge无疑将继续这一路线，并对再度完善图形模块的设计。
Ivy Bridge的图形模块仍然延续SNB的整体架构，且同样划分为高低两档。但其中定位较高的型号将会具有16个执行单元（SNB最多12个）。不过在具体的性能提升上可能幅度不大，Intel内部人士透露约在5%左右。重要的是，新的GPU将对DirectX 11提供完善的支持，其附带的诸如DirectCompute等特性颇有价值，并且未来还会进一步引入OpenCL，从而对并行加速计算提供更好的支持。
可配置TDP
可配置TDP（热设计功耗）是Ivy Bridge引入的新特性。该特性将允许同一颗处理器拥有多个不同的TDP，并可根据运行触发器进行动态转换，从而提供给用户更大的性能/功耗适用空间。
以移动平台的Ivy Bridge处理器为例：ULV超低压版本的正常TDP是17W，最高可扩展至35W、向下可降低至13W；XE高端版本的正常TDP是55W，扩展/降低范围则为65W/45W。这意味着厂商可以简化CPU采购的方案，同一型号的处理器，如果散热条件允许则可以调高TDP以达到更强性能。而如果想放置到更紧凑的设备中，则可以调低TDP。因此未来消费者在选购产品的时候，仅仅了解处理器型号已经不够，还需要清楚地知道处理器的TDP等级，以免买到了散热受限的产品，而在性能上无法满足自己的需求。
芯片组与超频
Ivy Bridge已经确定将继续沿用LGA1155接口，并理论上提供对6系列芯片组的兼容，但若想完全体验新平台的所有特性，7系列芯片组依然是不二的选择。
抛开配合SNB-E的X79，面向Ivy Bridge的7系列芯片组包括Z77、Z75、H77等型号。依然沿用6系列芯片组的PCH单芯片设计。7系列芯片组将原生支持USB 3.0接口，每款都是最多4个；SRT固态硬盘加速支持覆盖到H77。而SATA接口、芯片组PCI-E总线、处理器PCI-E总线、RAID等均维持与6系列芯片组相同的水平。备受期待的PCI-E 3.0总线目前尚无确切消息。
微架构的承袭注定了Ivy Bridge恐怕很难开放基准频率，但倍频上限从57x提升到了63x，也算是给超频玩家一些安慰。值得期待的是，Intel表示在Ivy Bridge平台上，倍频的调节无需重启即可生效。
依照惯例，微架构的小幅优化将很难带来性能的跨越式提升，更多的是带来功耗和发热量方面的明显进步。从目前透露的消息来看，Ivy Bridge也依然遵循了这一传统。同SNB一样，Ivy Bridge也同样会划分为面向主流的IVB与面向高端市场的IVB-E。后者作为SNB-E的继任者，将于2013年才会正式登场。而Ivy Bridge的主流型号，也要在2012年的3、4月份才会正式发售。
根据目前得到的消息，Ivy Bridge将会被称为第3代酷睿处理器，这意味着其将继续使用一直延续的Core i系列的命名方式。相比于SNB-E处理器高高在上的旗舰定位，作为SNB接班人的Ivy Bridge显然更值得主流消费者们去关心和了解。
再度升级的制程工艺
目前已知Ivy Bridge在内核微架构上相比SNB并不会有革命性的变化，只在细节上进行一定的优化和增强。其最大的变革来源于制程工艺的再度升级─由32nm进化至22nm，并引入划时代的3D Tri-Gate立体晶体管堆叠技术。两种新工艺的结合，将使得Ivy Bridge在芯片效能上得到大幅提升，而在同等性能下，芯片功耗则仅为32nm平面晶体管工艺芯片的一半左右。
仅考虑32nm工艺到22nm工艺的成比例进步，那么同等晶体管规模下，芯片面积可缩小47.3%。但由于Ivy Bridge在晶体管数量上的提升，因此其芯片面积将不会缩小如此高的比例。据Intel官方表示，Ivy Bridge的晶体管数量将会增加至大约14亿个，相比SNB的11.6亿个提升约20%。
图形模块性能变化不大
SNB处理器首次将GPU模块引入了CPU芯片内部，同时规格和性能相比Intel以往的集成显示核心有了数倍的提升，并得到了大量消费者的认可。Ivy Bridge无疑将继续这一路线，并对再度完善图形模块的设计。
Ivy Bridge的图形模块仍然延续SNB的整体架构，且同样划分为高低两档。但其中定位较高的型号将会具有16个执行单元（SNB最多12个）。不过在具体的性能提升上可能幅度不大，Intel内部人士透露约在5%左右。重要的是，新的GPU将对DirectX 11提供完善的支持，其附带的诸如DirectCompute等特性颇有价值，并且未来还会进一步引入OpenCL，从而对并行加速计算提供更好的支持。
可配置TDP
可配置TDP（热设计功耗）是Ivy Bridge引入的新特性。该特性将允许同一颗处理器拥有多个不同的TDP，并可根据运行触发器进行动态转换，从而提供给用户更大的性能/功耗适用空间。
以移动平台的Ivy Bridge处理器为例：ULV超低压版本的正常TDP是17W，最高可扩展至35W、向下可降低至13W；XE高端版本的正常TDP是55W，扩展/降低范围则为65W/45W。这意味着厂商可以简化CPU采购的方案，同一型号的处理器，如果散热条件允许则可以调高TDP以达到更强性能。而如果想放置到更紧凑的设备中，则可以调低TDP。因此未来消费者在选购产品的时候，仅仅了解处理器型号已经不够，还需要清楚地知道处理器的TDP等级，以免买到了散热受限的产品，而在性能上无法满足自己的需求。
芯片组与超频
Ivy Bridge已经确定将继续沿用LGA1155接口，并理论上提供对6系列芯片组的兼容，但若想完全体验新平台的所有特性，7系列芯片组依然是不二的选择。
抛开配合SNB-E的X79，面向Ivy Bridge的7系列芯片组包括Z77、Z75、H77等型号。依然沿用6系列芯片组的PCH单芯片设计。7系列芯片组将原生支持USB 3.0接口，每款都是最多4个；SRT固态硬盘加速支持覆盖到H77。而SATA接口、芯片组PCI-E总线、处理器PCI-E总线、RAID等均维持与6系列芯片组相同的水平。备受期待的PCI-E 3.0总线目前尚无确切消息。
微架构的承袭注定了Ivy Bridge恐怕很难开放基准频率，但倍频上限从57x提升到了63x，也算是给超频玩家一些安慰。值得期待的是，Intel表示在Ivy Bridge平台上，倍频的调节无需重启即可生效。
依照惯例，微架构的小幅优化将很难带来性能的跨越式提升，更多的是带来功耗和发热量方面的明显进步。从目前透露的消息来看，Ivy Bridge也依然遵循了这一传统。同SNB一样，Ivy Bridge也同样会划分为面向主流的IVB与面向高端市场的IVB-E。后者作为SNB-E的继任者，将于2013年才会正式登场。而Ivy Bridge的主流型号，也要在2012年的3、4月份才会正式发售。