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利用原位X射线衍射技术,研究了Nb5Si3-66%NbSi2和NbSi2的中温氧化行为及氧化层物相结构.结果表明,随着含硅量增加,材料抗氧化能力加强,其中NbSi2氧化反应速度较慢.在氧分压较低情况下,NbSi2氧化后同时生成Nb2O5及NbO氧化物.
铌硅化合物氧化行为的X射线衍射分析
【摘 要】
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利用原位X射线衍射技术,研究了Nb5Si3-66%NbSi2和NbSi2的中温氧化行为及氧化层物相结构.结果表明,随着含硅量增加,材料抗氧化能力加强,其中NbSi2氧化反应速度较慢.在氧分压较
【机 构】
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上海交通大学材料科学与工程学院
【出 处】
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理化检验(物理分册)
【发表日期】
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2004年1期
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