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本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统，该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件，在多层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生长效果的比较，PL对比测试结果表明，该配气系统在多量子阱结构的制备中具有良好的效果。
用于高质量InGaN／GaN MQWs制备的MOCVD配气系统
【摘 要】
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本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统，该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件，在多层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2006年4期
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