【摘 要】
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采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI) PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析.分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测
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采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI) PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析.分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测器偏置电压(10 V至50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化.模拟结果表明,随着反偏电压的增大,载流子复合效应降低,瞬态电流增加；当n+区域反偏电压为10V时,由α粒子入射产生的空间电荷在1 ns内几乎全部被收集,电荷收集效率接近100％；辐射产生的瞬时电流随探测器各端掺杂浓度的增大而减小.
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