PECVD法制备氮化硅薄膜的电学性能研究

来源 :西南民族大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:liulangdetianya
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以硅烷和氨气为前驱体,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备了氮化硅(SiNx)薄膜.利用X射线光电子能谱和红外光谱,研究了在不同的硅烷/氨气流量比条件下,合成的氮化硅薄膜的组分和结构.结果表明:随着硅烷氨气流量比的增加,薄膜的氮硅原子比率增加:更多Si-N戍键态随着NH3/SiH4流量比的增加获得.I-V曲线展现了氮化硅薄膜的电学性能.
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