论文部分内容阅读
采用流延法制备了长×宽为125 mm×125 mm,厚最薄为50μm的铁氧体电磁屏蔽片.研究了电磁屏蔽片屏蔽近场噪声源能力与材料磁谱间的关系,同时研究了材料中的CuO含量及助烧剂Bi2O3的添加量对材料磁谱的影响.结果表明,电磁屏蔽片屏蔽近场噪声源的能力与材料在13.56 MHz下的磁导率μ＇及品质因数（Q）相关.CuO含量过大,材料的磁谱特性会变差;Bi2O3的添加量对材料的高频段磁谱性能影响不大.