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采用简单的化学气相沉积法,首次以尿素(CO(NH2)2)为N掺杂剂,与Si/SiO2粉体混合,一步法实现了高质量的N掺杂SiC纳米线的制备,并系统研究了不同原料质量比m(Si/SiO2)∶m(CO(NH2)2)、不同合成温度对N掺杂SiC纳米线场发射性能的影响规律。研究得出:原料质量比m(Si/SiO2)∶m(CO(NH2)2)为1∶3,合成温度为1 250℃时,产物具有最优的场发射性能,其开启电场和阈值电场分别为1.2V·μm-1和3.3V·μm-1。利用扫描电子显微镜(SEM)、透