【摘 要】
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本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×l0-4,常温热导率为186W/(m·K);同时研制出了热导率为192W/(m·K)的氮化铝陶瓷.完成了AlN的陶瓷-
【机 构】
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北京真空电子技术研究所,北京100015
【出 处】
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电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十九届会议暨真空电子与专用金属材料分会2019年年会
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本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×l0-4,常温热导率为186W/(m·K);同时研制出了热导率为192W/(m·K)的氮化铝陶瓷.完成了AlN的陶瓷-金属封接工艺,封接件抗拉强度大于78MPa,制备了AlN陶瓷输能窗,钎焊后的AlN陶瓷一金属封接件及输能窗检漏结果均气密,氦漏率小于1×10-11Pa·m3/s.本文研制的AlN陶瓷及封接工艺不但满足输能窗用介质材料的性能要求.还可以应用于微波管收集极及夹持杆等方面.
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