基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：esinstra

【摘要】

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利用法国OMMIC公司的0．2μm GaAs PHEMT工艺，设计实现了一个36GHz压控振荡器电路．该电路采用完全差分的调谐振荡器结构，通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路，提高了

【作者】

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仇应华王志功朱恩冯军熊明珍夏春晓

【机构】

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东南大学射频与光电集成电路研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

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压控振荡器共面波导容性耦合差动电流放大器砷化镓 VCO CFW capacitive-source-coupled current amplifier

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利用法国OMMIC公司的0．2μm GaAs PHEMT工艺，设计实现了一个36GHz压控振荡器电路．该电路采用完全差分的调谐振荡器结构，通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路，提高了电路的性能．测试表明：该压控振荡器中心频率为36GHz，调谐范围约为800MHz，在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98．83dBc／Hz．芯片面积为0．5mm×1mm，采用-5V单电源供电，核心单元功耗约为200mW．

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