【摘 要】
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Ce：YAG荧光陶瓷具有突出的导热性及化学稳定性,相比有机硅胶封装法在高功率白光LED的应用上具有更广阔的应用前景。本研究采用真空固相烧结法制备了不同Gd掺杂浓度的（Gd, Y）3Al5
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室,中国科学院大学,上海科技大学
【基金项目】
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国家自然科学基金（61475172）, 中国科学院国际合作局重点项目（181231KYSB20160005）
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Ce：YAG荧光陶瓷具有突出的导热性及化学稳定性,相比有机硅胶封装法在高功率白光LED的应用上具有更广阔的应用前景。本研究采用真空固相烧结法制备了不同Gd掺杂浓度的（Gd, Y）3Al5O（12）：Ce样品,通过XRD, SEM及荧光光谱等表征手段,研究了Gd掺杂对Ce：YAG荧光陶瓷的晶体结构及其用于白光LED时对发光性能的影响。实验表明,随着Gd掺杂浓度的提高, Gd^3＋取代Y^3＋的位置进入晶格,使得样品的晶格常数增加。Gd^3＋还影响了Ce^3＋对蓝光的吸收,同时Ce^3＋将蓝光转换成黄光的效率
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