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本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火中形成的新施主,并且碳对这种施主起着强烈的促进作用.
CZNTD Si中氧碳对缺陷—杂质复合体行为的影响
【摘 要】
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本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,机电部46所,中国原子能科学研究院,北京605厂
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年7期
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