低压低耗共源-共栅BiCMOS电荷放大器

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gkhksmq
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器。浚放大器采用BiCMOS共源一共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级。测试结果表明,放大器功耗降为230μw/ch,电源电压降低0.7V左右,等效噪声电荷(ENC)小于600电子电荷。
其他文献
片上网络为具有多个处理单元的高速并行片上系统提供一种结构化的片上通信与互连的方法。当前丰富多样的通信实体的选择、建模和仿真,对于精确评估和优化片上网络的整体性能非
耶森喀拉一带处于萨吾尔一二台(岛弧带)Cu-Ni-Au-Mo-Fe矿带,区内构造活动强烈,处于西伯利亚板块与哈萨克斯坦.准噶尔板块构造结合部位。地质构造复杂,岩浆活动频繁,岩性复杂,成矿地质条件优越,该地区已发现喀拉通克大型铜镍矿和乔夏哈拉中型铜金矿。根据本地区的控矿地质条件、化探和物探特征,已经取得了很好的找矿效果,说明该地区成矿潜力十分可观。只有不断加强地质、化探、物探的综合研究,深入研究含矿
研究了改变本底真空对薄膜质量的影响,给出了在该系统中得到质量较高金刚石薄膜的最小本底真空值:阐述了降低灯丝温度对薄膜质量的影响。在较低压力下用甲烷氧气作碳源在1500~17
针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最大的击穿电压和
苏约克泉华位于新疆乌恰县托云乡托云盆地北缘、天山山系西部吐尔尕特山南麓,是西北干旱地区泉华的典型代表。在对新疆乌恰苏约克泉华水文地质、地貌、区域地质背景进行全面考
青岛竹岔岛位于黄海之中,距离最近的陆地约3km(图1a),主要由4个岛屿组成,总面积约0.38km2。竹翁岛上以发育有一“古火山口”而远近闻名(图1b),每年都吸引不少游客前来参观,成为了青岛市
本文根据地震烈度七、八、九度区的实际资料,分别建立了包括砂土厚度、砂土密实度、砂土埋深及地下水位埋深等四项因素的藏化判别式和严重液化与轻微液化的判别式。根据对唐
介绍了支持JTAG标准的IC芯片结构和故障测试的4-wire串行总线,以及运用边界扫描故障诊断的原理。实验中分析了IC故障类型、一般故障诊断流程和进行扫描链本身完整性测试的方案
业界正在发生根本的变化,驱动力是以低成本和低功耗嵌入日益强大的计算资源能力的需求。消费者正在寻找新的体验,传统上由不同平台和基础设施提供的不同服务需要整合在一起。这