论文部分内容阅读
利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P-Si(100)衬底上制备了Al2O3栅介质层，研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2O3栅介质层物理特性的影响．结果表明：在较高温度下N2气氛中退火有助于减小泄漏电流；在O2气氛中退火有助于减少Al2O3栅介质中的氧空位缺陷．对Al2O3栅介质泄漏电流输运机制的分析表明，在电子由衬底注入的情况下，泄漏电流主要由Schottky发射机制引起，而在电子由栅注入的情况下，泄漏电流可能由Schottky发射和Frenkel-Poole发射两种机制共同引起．