【摘 要】
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基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦
【机 构】
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上海交通大学微纳米科技研究所微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室
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基于UMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计并实现了一个应用于移动数字电视接收机射频前端的接收信号强度指示仪(RF RSSI)。提出了一种全新的功率检测电路,相对于传统的非平衡源级耦合对整流器,具有设计简单、功耗低以及良好的宽带功率指示功能;电路中前置放大器采用恒定跨导(Gm)偏置技术,输出放大器为三运放仪表放大器(IA),其增益均为片上电阻的比值,因此受工艺、温度、电源电压影响较小。芯片测试结果表明,在1.8 V电源电压下,工作频率470～860 MHz范围内,该RF RSSI的动态功率检测范围为-25～-15 dBm,非线性误差小于±1.5 dB,同时功耗仅为7 mW。满足接收机系统要求。
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