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采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2（In3O2：Sn）半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明：所制备的薄膜均具为（222）择优取向的立方锰铁矿结构,其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时,In3O2：Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸（32.5 nm）、最高的可见光区平均透过率（86.4%）和最大的优值因子（7.9×10^4Ω^-1m^-1）,其光电性能最好.同时采用Tauc