【摘 要】
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采用物理气相传输(PVT)法,通过改变石墨坩埚顶部结构,实现了低氮和硼碳化硅单晶生长的目标。对抛光后的4H-SiC晶片进行二次离子质谱(SIMS)测试,B和N的浓度相应降低1个和2个数
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采用物理气相传输(PVT)法,通过改变石墨坩埚顶部结构,实现了低氮和硼碳化硅单晶生长的目标。对抛光后的4H-SiC晶片进行二次离子质谱(SIMS)测试,B和N的浓度相应降低1个和2个数量级。采用非接触电阻率测试仪测试晶圆的电阻率均大于4×109Ω·cm;红外透射谱测试结果表明,波数2 500~4 200 cm-1超过78%的透过率。显微拉曼光谱测试晶圆的4H-SiC晶型面积为100%。结果表明,该方法不仅降低晶体中的B和N等杂质浓度,并成功地制备出直径100 mm的高纯半绝缘4H-SiC单晶。
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