【摘 要】
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本文对采用PECVD技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进行了研究。拉曼散射光谱结果表明：未退火样品主要为非晶／微晶混合相；当退火温度
【机 构】
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中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院研究生院
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本文对采用PECVD技术制备的不同掺杂比掺磷硅薄膜在不同退火时间和温度下的结构和电阻温度系数进行了研究。拉曼散射光谱结果表明：未退火样品主要为非晶／微晶混合相；当退火温度从500℃上升到700℃，薄膜结构呈现出先向非晶相转变，后完全晶化的趋势，与此同时，电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度及退火温度的增加而单调减小。文中我们采用Lu的模型对上述实验结果进行了解释，认为由Si-P键构成的晶界势垒高度的变化是上述实验结果的根本原因。
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