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基于GaAsPHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）材料结构的设计，材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取，完成了GaAsPHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系，在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层，结果达到了预期目的，并已用于GaAs0．25μm PHEMT标准工艺的生产中，获得了良好的经济效益。