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GaAsPHEMT栅选择腐蚀工艺研究
基于GaAsPHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完......
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选择腐蚀
赝配高电子迁移率晶体管
腐蚀终止层
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凹槽
selective etch pseudo high electron mobility trans
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