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以CH4／H2／Ar为刻蚀气体，对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体（ICP，inductivelycoupledplasma）刻蚀。研究了不同偏压射频源（RF）功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响，得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明：当偏压射频源功率为150W，ICP功率为800W，反应室压力为1．0Pa，CH4／H2／Ar的体积流量比为3／10／1时，InSb的刻蚀速率可达90nm／min，刻蚀表面的平