论文部分内容阅读
在71－163K的不同稳定温度下，对GaAs-AIxGa1-xAs调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度，作了10^-5-10^3秒时间范围的瞬变测量。一个包含了热声子辅助隧穿，Si的掺杂的AIxGa1-xAs层DX中心俘获势垒分布和隧穿后电子的能量驰豫过程的理论计算可以定量地解释实验结果。