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利用高斯98中的Hartree—Fock（HF）方法研究了OH^-与Si（100）面的吸附和脱附作用机理，计算了OH^-在Si（100）面三种（顶位，桥位，穴位）典型吸附位的吸附反应势能曲线，在每个吸附位上根据空间位阻最小和最佳成键方向考虑了OH^-垂直进攻和倾斜进攻．结果表明：OH^-在进攻三种吸附位时的活化能为零，顶位倾斜吸附最稳定，穴位吸附最不稳定．在顶位倾斜吸附位上Si原子被OH^-拉出的反应活化能为1．01eV，整个吸附脱附过程的活化能为3．29eV．