观察电针百会、风府和双侧肾俞穴位对射线照射模型小鼠认知及空间学习记忆能力的影响。
方法100只30 d龄C57BL/6J小鼠按随机数字表法分成对照组、模型组(4、8和16 Gy)、电针非穴位组(4、8和16 Gy)、电针穴位组(4、8和16 Gy)，每组10只。不同剂量射线照射(4、8和16 Gy)建立小鼠放射性脑辐射损伤模型，电针治疗3个疗程。测定小鼠体重进行一般状况评价，旷场实验测试小鼠认知功能，Morris水迷宫实验测试空间学习记忆能力。
结果照后7和14 d，与对照组比较，模型组(8和16 Gy)小鼠体重明显减少(t＝2.917、9.650、3.043、2.882，P<0.05)；与模型组(8和16 Gy)比较，电针穴位组小鼠体重明显增加(t＝6.602、5.409、19.660、2.975, P<0.05)。在旷场实验中，与对照组比较，模型组(8和16 Gy)小鼠垂直运动和水平运动次数显著减少(t＝2.183、2.119、2.369、2.231, P<0.05)；与模型组(8和16 Gy)和电针非穴位组(8和16 Gy)小鼠比较，电针穴位组小鼠垂直运动和水平运动显著性增加(t＝8.914、2.727、4.325、4.178, P<0.05；t＝4.030、3.014、2.150、4.771, P<0.05)。Morris水迷宫实验中，与对照组比较，在测试第3天，模型组(4 Gy)小鼠潜伏期明显延长，而穿越靶象限次数减少(t＝4.544、3.422, P<0.05)；与模型组(4 Gy)及电针非穴位组(4 Gy)比较，电针穴位组(4 Gy)潜伏期显著缩短(t＝2.877、3.001, P<0.05)。与对照组比较，在测试第2、3天，模型组(8和16 Gy)小鼠潜伏期显著延长(t＝2.544、3.706、3.796、7.934, P<0.05)，穿越次数减少(t＝2.120、2.393, P<0.05)，模型组(8 Gy)停留时间减少(t＝2.543, P<0.05)。与模型组(8和16 Gy)和电针非穴位组(8和16 Gy)小鼠比较，电针穴位组小鼠潜伏期显著缩短(与模型组比较：t＝5.404、7.869、4.104、15.590, P<0.05;与电针非穴位组比较：t＝2.938、7.955、6.566、10.350, P<0.05)，而穿越靶象限次数和停留时间仅电针穴位组(8 Gy)显著增加(与模型组比较：t＝2.673、2.613, P<0.05;与电针非穴位组比较：t＝3.345、2.179, P<0.05)。
结论8 Gy以上射线照射可建立脑辐射损伤模型，电针(百会、风府和双侧肾俞)能够显著改善模型小鼠认知能力及空间学习记忆能力。