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在讨论赝电容形成机理的基础上，应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH)2膜，经热处理得到NiO膜。研究发现，Ni(OH)2在空气中热处理所得NiO在KOH水溶液中能形成赝电容，但在N2气氛中热处理所得的NiO在KOH水溶液中未能形成赝电容；钴掺入NiO使比电容量显著增大。
热处理气氛及掺钴对NiO电极赝电容器性能的影响
【摘 要】
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在讨论赝电容形成机理的基础上，应用电化学阴极沉积法在Ni基片上制得Ni(OH)2膜，经热处理得到NiO膜。研究发现，Ni(OH)2在空气中热处理所得NiO在KOH水溶液中能形成赝电容，但在N2气
【机 构】
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电子科技大学信息材料工程学院,电子科技大学信息材料工程学院,四川工业学院
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2001年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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《中国应用生理学杂志》系军事医学科学院卫生学环境医学研究所和中国生理学会联合主办的国家基础类和生物类核心期刊，国内外公开发行，双月刊。编辑部设在军事医学科学院卫生学