【摘 要】
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为了实现与商用CMOS工艺兼容和最好的抗辐射效果，采用环形栅结构消除NMOS管中由总剂量效应引起的漏电流，采用保护环减轻单粒子闩锁效应和消除电势不同的有源区间场区漏电流，采用
【机 构】
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华中科技大学图像识别与人工智能研究所,华中师范大学生命科学学院
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为了实现与商用CMOS工艺兼容和最好的抗辐射效果，采用环形栅结构消除NMOS管中由总剂量效应引起的漏电流，采用保护环减轻单粒子闩锁效应和消除电势不同的有源区间场区漏电流，采用双互锁存储单元结构提高时序单元的抗单粒子翻转能力．利用这些加固方法，实现了在0．18μmCMOSlogic工艺下小规模、混合高度、高密度标准单元库设计．利用数字集成电路前后端工具验证单元库设计，结果表明此设计内容完全可行．
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