【摘 要】
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用电化学阳极氧化法腐蚀p型（100）的单晶硅片制成多孔硅（PS）衬底,然后采用射频反应磁控溅射技术在PS衬底上沉积了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、
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用电化学阳极氧化法腐蚀p型（100）的单晶硅片制成多孔硅（PS）衬底,然后采用射频反应磁控溅射技术在PS衬底上沉积了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外分光光度计和荧光分光光度计研究了不同Cu掺杂浓度对薄膜结构和光学性能的影响.XRD结果显示：所有样品都呈现出较强的（002）衍射峰,有很好的c轴择优取向;SEM形貌显示：ZnO晶粒覆盖了PS的孔洞,薄膜表面平整,晶界较明显;透射吸收谱显示：ZnO薄膜有较高的平均透射率,并随着Cu掺杂量的增加而降低,光学带隙
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