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在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推广导出的标志电荷存储机理的Ｓ因子详细分子发射区渡越时间与多晶／单晶界面参数之间的关系。
多晶／单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型
【摘 要】
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在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推广导出的标志电荷存储机理的Ｓ因子详细分子发射区渡越时间与多
【机 构】
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北京大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年1期
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期刊
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