【摘 要】
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环栅（Gate-All-Around）晶体管是3nm以下节点替代现有鳍式晶体管（FinFET）最有竞争力的器件结构，能有效改善器件尺寸沿着摩尔定律不断微缩带来的短沟道效应。GAA器件制备的工艺流程中，内侧墙制备和沟道释放是相对于FinFET新引入的工艺模块，均需要SiGe选择性刻蚀技术。工艺要求SiGe作为牺牲层被选择性刻蚀去除，且尽可能减少对Si沟道的损伤。本文对环栅（GAA）晶体管制备工艺中所
【基金项目】
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中科院先导A项目（XDA0330300）； 中国科学院支撑技术人才项目（E2YR01X001）；
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环栅（Gate-All-Around）晶体管是3nm以下节点替代现有鳍式晶体管（FinFET）最有竞争力的器件结构，能有效改善器件尺寸沿着摩尔定律不断微缩带来的短沟道效应。GAA器件制备的工艺流程中，内侧墙制备和沟道释放是相对于FinFET新引入的工艺模块，均需要SiGe选择性刻蚀技术。工艺要求SiGe作为牺牲层被选择性刻蚀去除，且尽可能减少对Si沟道的损伤。本文对环栅（GAA）晶体管制备工艺中所需的SiGe选择性刻蚀技术进行了综述。主要分析了器件结构的发展趋势及SiGe选择性刻蚀的应用，并分类综述了常规SiGe选择性刻蚀方法以及新型选择性刻蚀技术的发展历程，分析了各种技术的优点和不足。最后对SiGe选择性刻蚀技术面临的挑战进行了分析，并对未来可能的发展趋势进行了展望。
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