低功耗64×64 CMOS快照模式焦平面读出电路新结构

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:w354026268
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介绍了一个工作于快照模式的 CMOS焦平面读出电路的低功耗新结构— OESCA (Odd- Even SnapshotCharge Am plifier)结构 .该结构像素电路非常简单 ,仅用三个 NMOS管 ;采用两个低功耗设计的电荷放大器做列读出电路 ,分别用于奇偶行的读出 ,不但可有效消除列线寄生电容的影响 ,而且列读出电路的功耗可降低 15 % ,因此 OESCA新结构特别适于要求低功耗设计的大规模、小像素阵列焦平面读出电路 .采用 OESCA结构和 1.2μm双硅双铝标准 CMOS工艺设计了一个 6 4× 6 4规模焦平面读出电路实验芯片 ,其像素尺寸为 5 0μm× 5 0μm ,读出电路的电荷处理能力达 10 .37p C.详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序 ,并给出了精确的 SPICE仿真结果和试验芯片的测试结果 An OESCA (Odd-Even Snapshot Circuit Construction) architecture is introduced for a CMOS focal plane readout circuit operating in snapshot mode. The structure of the pixel circuit is very simple with only three NMOS transistors; two low Power consumption of the charge amplifier column readout circuit, respectively, for the parity line read out, not only can effectively eliminate the column line parasitic capacitance, and column readout circuit power consumption can be reduced by 15%, so the new OESCA special structure Suitable for large-scale, small pixel array focal plane readout circuits that require low-power design.A 64 × 64-scale focal plane readout circuit chip was designed using OESCA and 1.2μm double-Si aluminum standard CMOS process, The pixel size is 50μm × 50μm, and the readout circuit has a charge handling capacity of 10.37p C. The architecture of the sensing circuit, the pixel circuit, the detector model and the operation timing are described in detail. The exact SPICE simulation results and test chip test results
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