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采用电子束蒸发的方法在Si片上制备超导铝（Al）薄膜。利用X射线衍射和直流四电极电阻法分别测试了厚度从100埃到5000埃的Al薄膜物向组成，超导转变温度（Tc）和临界电流密度（Jc）。当Al薄膜厚度大于500埃时，超导转变温度Tc=1．2K。电子束蒸发制备的Al薄膜性能良好，具有较高的结晶质量，为制备Al超导隧道结奠定了良好基础。对小面积的Al超导隧道结工艺进行了研究，该超导隧道结两层的超导体材料为Al薄膜，中间势垒层材料为Al2O3。其中Al薄膜利用电子束蒸发制备，势垒层通过直接氧化Al薄膜表面实现，